Samsung SSD 990 EVO NVME M.2 PCIE 4.0 X4 2 bis
- Sequentielle Lesen von bis zu 5.000 MB/s
- Intelligente thermische Kontrolle
- PCIE® 4.0 X4 -Schnittstellen, PCIE® 5.0 x2 kompatibel
Einen Schritt voraussetzen
Der 990 EVO bietet verbesserte sequentielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 5.000/4 200 MB/s und zufällige Lese-/Schreibgeschwindigkeiten bis bis
700.000/800.000 IOPS oder 43% mehr als 970 EVO plus 2 TB.
Erhöhte Energieeffizienz
Mit einer bemerkenswerten Verbesserung von mehr als 70 % Effizienz im Vergleich zum Vorgängermodell können Sie Ihren Computer noch länger verwenden, ohne sich über die Akkulaufzeit zu sorgen.
Darüber hinaus unterstützt es den modernen Standby, sodass Sie mit dem Internet in Verbindung bleiben und Benachrichtigungen auch im Niedrigkonsummodus erhalten können.
Intelligente thermische Lösung
Die Wärmediffusionsmarke des 990 EVO erleichtert die thermische Kontrolle des NAND -Chips. Der thermische Kontrollalgorithmus zum Schneiden von Samsung, der mit der Wärmedynamik verbunden ist, garantiert eine konstante und zuverlässige Leistung. Halten Sie Ihre Leistung warm, nicht Ihre SSD.
Samsung Magier -Software
Lassen Sie Ihre SSD wie Walzen funktionieren. Samsung Magier -Softwareoptimierungstools garantieren die beste Leistung der SSD. Es ist der sicherste und einfachste Weg, alle Ihre Daten für ein Upgrade des Samsung SSD zu migrieren. Schützen Sie Ihre kostbaren Daten, verfolgen Sie die Gesundheit der SSD und erhalten Sie die neuesten Updates.
Leben zu Innovationen
Seit Jahrzehnten liefert der Flash -NAND -Gedächtnis von Samsung revolutionäre Technologien, die unser tägliches Leben verändert haben. Diese Flash -NAND -Technologie hat auch die breite Öffentlichkeit zusammengestellt und den Raum für die nächste große Innovationswelle hinterlassen.
| Allgemein | |
| Gerätetyp: | SSD -Scheibe - intern |
| Verwenden | PC- und Spielekonsolen |
| Speicherspeicher | Samsung V-Nand TLC |
| Fähigkeit: | 1 zu |
| Sequentielle Lesung | Bis zu 5.000 MB/s |
| Sequentielle Schrift | Bis zu 4.200 MB/s |
| Materialverschlüsselung: | Ja |
| Verschlüsselungsalgorithmus: | Weinen AES 256 Bit (Klasse 0) TCG/Opal IEEE1667 |
| Format: | M.2 2280 |
| Schnittstelle: | PCIE® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVME ™ 2.0 |
| Cache-Speicher | HMB (Hostspeicherpuffer) |
| Merkmale: | Trim-Support, Standby-Modus, Selbstgarbagentsammlungalgorithmus, NVM Express (NVME) 1.3C, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, S.M.A.R.T. |
| Leistung | |
| Zufälliges Schreiben 4 KB Maximum: | Bis zu 680.000 IOPS |
| Maximale zufällige Lesung 4 KB: | Bis zu 800.000 IOPS |
| Zuverlässigkeit | |
| MTBF -Zuverlässigkeit: | 1.500.000 Stunden |
| Essen | |
| Energieverbrauch: | 5,5 Watt (Lesen) 4,7 Watt (Burst -Modus) |
