Samsung SSD 990 EVO NVME M.2 PCIe 4.0 x4 2 a
- Lectura secuencial de hasta 5,000 MB/s
- Control térmico inteligente
- Interfaces PCIe® 4.0 x4, PCIe® 5.0 x2 compatible
Mantener un paso adelante
El 990 EVO ofrece velocidades de lectura/escritura secuenciales mejoradas de hasta 5,000/4 200 MB/sy velocidades de lectura/escritura aleatorias hasta
700,000/800,000 IOPS, o 43% más que el 970 EVO más 2 TB.
Mayor eficiencia energética
Con una mejora notable de más del 70 % de eficiencia en comparación con el modelo anterior, puede usar su computadora aún más sin preocuparse por la duración de la batería.
Además, es compatible con Modern Standby, que le permite mantenerse conectado a Internet y recibir notificaciones incluso utilizando el modo de bajo consumo.
Solución térmica inteligente
La etiqueta de difusión de calor del 990 EVO facilita el control térmico del chip NAND. El algoritmo de control térmico de corte Samsung, asociado con la dinámica térmica de la guardia, garantiza un rendimiento constante y confiable. Mantenga su rendimiento caliente, no su SSD.
Software de mago de Samsung
Haga que su SSD funcione como rodillos. Las herramientas de optimización de software de Magician Samsung garantizan el mejor rendimiento del SSD. Es la forma más segura y fácil de migrar todos sus datos para una actualización del SSD Samsung. Proteja sus valiosos datos, observe la salud del SSD y obtenga las últimas actualizaciones.
Vida a las innovaciones
Durante décadas, la memoria flash nand de Samsung ha estado suministrando tecnologías revolucionarias que han cambiado nuestra vida diaria. Esta tecnología Flash Nand también combina al público en general, dejando espacio para la próxima gran ola de innovación.
| General | |
| Tipo de dispositivo: | Disco SSD - interno |
| Usar | Consolas de PC y juegos |
| Almacenamiento de memoria | Samsung V-Nand TLC |
| Capacidad: | 1 a |
| Lectura secuencial | Hasta 5,000 MB/s |
| Escritura secuencial | Hasta 4.200 MB/s |
| Cifrado de material: | Sí |
| Algoritmo de cifrado: | Llorando aes 256 bits (clase 0) TCG/OPAL IEEE1667 |
| Formato: | M.2 2280 |
| Interfaz: | PCIE® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVME ™ 2.0 |
| Memoria caché | HMB (búfer de memoria host) |
| Características: | Soporte de TRIM, Modo de espera, Algoritmo de recolección de tareas automáticas, NVM Express (NVME) 1.3C, Samsung V-Nand 3bit MLC Technology, S.M.A.R.T. |
| Actuación | |
| Escritura aleatoria 4 KB máximo: | Hasta 680,000 IOPS |
| Lectura aleatoria máxima 4 KB: | Hasta 800,000 IOPS |
| Fiabilidad | |
| Fiabilidad de MTBF: | 1,500,000 horas |
| Alimento | |
| El consumo de energía: | 5.5 vatios (lectura) 4.7 vatios (modo de ráfaga) |
