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Samsung SSD 990 EVO NVME M.2 PCIe 4.0 x4 2 a

  • €162,95 EUR
    Precio unitario por 
Impuesto incluido. Los gastos de envío se calculan en la pantalla de pagos.

¡Solo 15 restantes!

 

  • Lectura secuencial de hasta 5,000 MB/s 
  • Control térmico inteligente 
  • Interfaces PCIe® 4.0 x4, PCIe® 5.0 x2 compatible

Mantener un paso adelante

El 990 EVO ofrece velocidades de lectura/escritura secuenciales mejoradas de hasta 5,000/4 200 MB/sy velocidades de lectura/escritura aleatorias hasta
700,000/800,000 IOPS, o 43% más que el 970 EVO más 2 TB.

Mayor eficiencia energética

Con una mejora notable de más del 70 % de eficiencia en comparación con el modelo anterior, puede usar su computadora aún más sin preocuparse por la duración de la batería.
Además, es compatible con Modern Standby, que le permite mantenerse conectado a Internet y recibir notificaciones incluso utilizando el modo de bajo consumo.

Solución térmica inteligente

La etiqueta de difusión de calor del 990 EVO facilita el control térmico del chip NAND. El algoritmo de control térmico de corte Samsung, asociado con la dinámica térmica de la guardia, garantiza un rendimiento constante y confiable. Mantenga su rendimiento caliente, no su SSD.

Software de mago de Samsung

Haga que su SSD funcione como rodillos. Las herramientas de optimización de software de Magician Samsung garantizan el mejor rendimiento del SSD. Es la forma más segura y fácil de migrar todos sus datos para una actualización del SSD Samsung. Proteja sus valiosos datos, observe la salud del SSD y obtenga las últimas actualizaciones.

Vida a las innovaciones

Durante décadas, la memoria flash nand de Samsung ha estado suministrando tecnologías revolucionarias que han cambiado nuestra vida diaria. Esta tecnología Flash Nand también combina al público en general, dejando espacio para la próxima gran ola de innovación.


General
Tipo de dispositivo: Disco SSD - interno
Usar Consolas de PC y juegos
Almacenamiento de memoria Samsung V-Nand TLC
Capacidad: 1 a
Lectura secuencial  Hasta 5,000 MB/s
Escritura secuencial Hasta 4.200 MB/s
Cifrado de material:
Algoritmo de cifrado: Llorando aes 256 bits (clase 0) TCG/OPAL IEEE1667
Formato: M.2 2280
Interfaz: PCIE® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVME ™ 2.0
Memoria caché HMB (búfer de memoria host)
Características: Soporte de TRIM, Modo de espera, Algoritmo de recolección de tareas automáticas, NVM Express (NVME) 1.3C, Samsung V-Nand 3bit MLC Technology, S.M.A.R.T.
 Actuación
Escritura aleatoria 4 KB máximo: Hasta 680,000 IOPS
Lectura aleatoria máxima 4 KB: Hasta 800,000 IOPS
 Fiabilidad
Fiabilidad de MTBF: 1,500,000 horas
 Alimento
El consumo de energía: 5.5 vatios (lectura) 
4.7 vatios (modo de ráfaga)

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