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Samsung SSD 980 PRO avec dissipateur NVMe M.2 PCIe 4.0 1 To

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Seulement 15 restant!

    • Vitesse séquentielle de lecture jusqu'à 7000 Mo/s
    • Format et interface: M.2 (2280) PCIe 4.0 NVMe
    • Dissipateur de chaleur intégré pour des perfomances de niveau supérieur prévenant les surchauffes sur consoles et PC
    • Conçu pour les technophiles, hardcore gamers et les professionnels

SSD de niveau supérieur

Libérer la puissance du PCIe® 4.0 NVMe™ SSD 980 PRO pour accéder à un niveau supérieur. L'interface PCIe® 4.0 double le taux de transfert des données du PCIe® 3.0 tout en restant rétro compatible pour une polyvalence totale. L'ajout du dissipateur augmente la vitesse, l'optimisation de la consommation électrique, et le contrôle de la chaleur pour maximiser la jouabilité.

Vitesse maximale

Avec le contrôleur made in Samsung pour le PCIe® 4.0 SSD, le 980 PRO est optimisé pour la vitesse. Il offre des vitesses séquentielles de lecture jusqu'à 7000 Mo/s, 2x plus rapide que les SSD en PCIe® 3.0 et 12,7x plus rapide que les SSD SATA. Le 980 PRO atteint ses vitesses maximales sur PCIe® 4.0 et peut varier avec d'autres réglages.

Une combinaison gagnante

Gamers, technophiles, et designers peuvent bénéficier du contrôle thermique, haute performance de la bande passante, et de performance soutenu pour les applications gourmandes. Le chargement des jeux est ultra-rapide pour que vous puissiez jouer plus, et attendre moins. La gestion intelligente de la chaleur réduit les bruits gênants et ceux des ventilateurs pour une immersion de jeu sans interruption.

Général
Type de périphérique: Disque SSD - interne
Utilisation PC et consoles de jeux
Mémoire de stockage Samsung V-NAND 3-bit MLC
Capacité: 1 To
Lecture séquentielle  Jusqu'à 7 000 Mo/s
Ecriture séquentielle Jusqu'à 5 000 Mo/s
Cryptage matériel: Oui
Algorithme de chiffrement: AES 256 bits
Format: M.2 2280
Interface: PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Taille de la mémoire tampon: Samsung 1Go Low Power DDR4 SDRAM
Caractéristiques: Prise en charge TRIM, mode veille, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, NVM Express (NVMe) 1.3c, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, Samsung Elpis Controller, S.M.A.R.T.
 Performances
Endurance SSD: 600 TB
Écriture aléatoire 4 Ko maximum: 1000000 IOPS
Lecture aléatoire maximale 4 ko: 1000000 IOPS
 Fiabilité
Fiabilité MTBF: 1,500,000 heures
 Expansion et connectivité
Interfaces: PCI Express 4.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
 Alimentation
Consommation électrique: 6.2 Watt (moyenne)
7.4 Watt (maximum)
0.035 Watt (inactif)

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