Samsung 9100 PRO Heatsink 2 To M.2 PCIe 5.0 NVMe SSD
Les performances de la Gen5
Vivez la révolution avec le SSD 9100 PRO en atteignant des vitesses séquentielles de lecture jusqu'à 14 800 Mo/s et d'écriture jusqu'à 13 400 Mo/s, presque deux fois plus rapide que le 990 PRO*. Gardez une longueur d'avance avec vitesses aléatoires jusqu'à 2200K en lecture et 2600K IOPS en écriture, seulement possible avec la Gen5.
Polyvalent et puissant
Dépassez les limites de la productivité. Des vitesses de lecture/écriture aléatoires exaltantes permettent un traitement parallèle ultra-rapide pour d'innombrables données fragmentées, jusqu'à 2200K/2600K IOPS. Bénéficiez d'un meilleur rendement et de chargements instantanés pour des jeux énormes, des tâches hautement sophistiquées et même des applications d'intelligence artificielle.
Créer avec l'IA en un clin d'œil
L'intelligence artificielle redéfinit les performances. Repoussez vos limites au travail et dans vos loisirs grâce à un PC qui optimise les performances de l'IA. Le 9100 PRO vous accompagnera avec ses vitesses de lecture/écriture aléatoires exaltantes qui vont jusqu’à 2200K/2600K IOPS. Chargements rapides, jeu fluide, performances sans faille.
Faire la différence
Naviguez entre le montage vidéo, l'art 3D et les jeux HD grâce à la dernière interface PCIe® 5.0. Bénéficiez de performances à la pointe de la technologie Samsung, à tout moment, sur n'importe quel appareil, et restez prêt pour ce qui vous attend avec une capacité étendue allant jusqu'à 8 To.
Une efficacité thermique extraordinaire
Des performances de pointe, sans interruption. L'architecture d'alimentation avancée du contrôleur 5nm améliore l'efficacité énergétique jusqu'à 49 % par rapport au 990 PRO*. Un contrôle thermique exceptionnel garantit que rien ne perturbe votre flux, afin que vous puissiez continuer à exécuter les programmes les plus exigeants avec la puissance maximale possible de PCIe® 5.0.
| Général | |
| Type de périphérique: | Disque SSD - interne |
| Utilisation | PC et consoles de jeux |
| Mémoire de stockage | Samsung V-NAND TLC |
| Capacité: | 2 To |
| Lecture séquentielle | Jusqu'à 14 700 Mo/s |
| Ecriture séquentielle | Jusqu'à 13 400 Mo/s |
| Cryptage matériel: | Oui |
| Algorithme de chiffrement: | Cryptage AES 256 bits (classe 0)TCG/Opal IEEE1667 (lecteur crypté) |
| Format: | M.2 2280 |
| Interface: | PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0 |
| Taille de la mémoire tampon: | Samsung 2Go basse consommation DDR4X SDRAM |
| Caractéristiques: | Prise en charge TRIM, mode veille, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, NVM Express (NVMe) 2.0, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, Samsung Elpis Controller, S.M.A.R.T. |
| Performances | |
| Écriture aléatoire 4 Ko maximum: | Jusqu'à 2,600,000 IOPS |
| Lecture aléatoire maximale 4 ko: | Jusqu'à 1,850,000 IOPS |
| Fiabilité | |
| Fiabilité MTBF: | 1,500,000 heures |
| Alimentation | |
| Consommation électrique: | Lecture 8,1 W / Ecriture 7,9W |
