Samsung SSD 990 EVO NVME M.2 PCIE 4.0 X4 1 a
- SSD Samsung NVME alimentato da un controller interno di nuova concezione
- Velocità di lettura/scrittura sequenziale fino a 7.450/6 900 MB/s
- SSD Efficienza energetica e controllo termico affidabile
L'ultimo SSD
Raggiungi i limiti di PCIE® 4.0* Mantenendo prestazioni a lungo termine che consentono di dominare i tuoi avversari. Il controller Samsung Made-in della gestione del calore intelligente offre un'ottimizzazione della potenza mantenendo velocità e prestazioni feroci, per tenerti sempre in cima al tuo gioco.
Speed PCIE massima 4.0
Gigantico guadagno di velocità. Le velocità di lettura/la scrittura casuale sono del 40% e del 50% più veloci rispetto ai 980 Pro - fino a 1400K/1650K IOP, mentre la velocità sequenziale di lettura/scrittura è di 7450/6900 mb/s raggiungendo quasi le prestazioni massime di PCIE® 4.0. Sii in cima sia per i giochi, i video e l'editing 3D, l'analisi dei dati e molto altro.
Gestione dell'energia rivoluzionaria
Migliori prestazioni di gestione dell'energia. L'aumento delle prestazioni generalmente consuma più energia. Tuttavia, il 990 Pro utilizza meno energia con oltre il 50% delle sue prestazioni migliorate da WATT rispetto al 980 Pro. Questo design privo di energia molto ridotta rende le massime prestazioni del PCIE® 4.0 ottenuto con una gestione ottimale dell'energia.
Soluzione termica intelligente
Evacuare il calore. La fine del dissipatore evita il surriscaldamento e le cadute delle prestazioni. Ottieni un controllo di calore stabile e un rumore del ventilatore minimo per giocare ai giochi più pesanti. La scatola fine è compatibile con PlayStation® 5 e PC che incontra lo standard PCI-SIG® D8.
Champion Creator
La migliore esperienza di gioco. Il design futuristico del dissipatore di calore con le sue luci RGB aggiunge uno stile incomparabile al controllo di calore.
Software Magicio Samsung
Rilascia tutta la potenza del 990 Pro. La semplicità dell'utilizzo del software Samsung Magician e dei suoi strumenti di ottimizzazione ti consente di sfruttare sempre le migliori prestazioni del tuo SSD. Proteggi i tuoi dati importanti, monitora le condizioni del disco e configura combinazioni di colori a LED. La tua cassetta degli attrezzi per il tuo SSD.
Il mondo n ° 1 della memoria flash
Sfruttando una durata della vita e prestazioni più elevate che solo il primo marchio di memoria flash al mondo può offrirti. Tutti gli studi e i componenti, tra cui Samsung Dram e Nand famosi in tutto il mondo, sono fabbricati nelle nostre fabbriche e pertanto ci consentono di garantire una qualità impeccabile.
Generale | |
Tipo di dispositivo: | Disco SSD - interno |
Utilizzo | PC e console di gioco |
Memoria di archiviazione | Samsung V-Nand TLC |
Capacità: | 1 a |
Lettura sequenziale | Fino a 7,450 mb/s |
Scrittura sequenziale | Fino a 6.900 MB/s |
Crittografia materiale: | SÌ |
Algoritmo di crittografia: | AES 25AES 256-BIT Crittico (Classe 0) TCG/OPAL IEEE1667 (Drive Cripted) Crittico a 6 bit (Classe 0) TCG/Opal IEEE1667 (Drive cripted) |
Formato: | M.2 2280 |
Interfaccia: | PCIE GEN 4.0 X4, NVME 2.0 |
Dimensione della memoria del tampone: | SAMSUNG 1 GB a bassa potenza DDR4 SDRAM |
Caratteristiche: | Supporto TRIM, Modalità di standby, Collezione di algoritmo di auto-garbage, tecnologia Turbowrite, cache DDR4 a bassa potenza DDR4, NVM Express (NVME) 1.3C, tecnologia MLC 3bit Samsung V-NAND, Samsung Elpis Controller, S.M.A.R.T. |
Prestazione | |
Scrittura casuale 4 kb massimo: | Fino a 1.550.000 IOP |
Lettura a caso massima 4 kb: | Fino a 1.400.000 IOP |
Affidabilità | |
Affidabilità MTBF: | 1.500.000 ore |
Alimentazione | |
Consumo di energia: | 6.1 Watt (media) 8.5 Watt (Modalità Burst) 0,055 watt (inattivo) |