Samsung SSD 990 EVO NVMe M.2 PCIe 4.0 x4 1 To
- Lecture séquentielle jusqu’à 5 000 Mo/s
- Contrôle thermique intelligent
- Interfaces PCIe® 4.0 x4, compatible PCIe® 5.0 x2
Gardez une longueur d'avance
Le 990 EVO offre des vitesses de lecture/écriture séquentielle améliorées jusqu'à 5 000/4 200 Mo/s et des vitesses de lecture/écriture aléatoire jusqu'à
700 000/800 000 IOPS, soit 43% de plus que le 970 EVO Plus 2 To. Gagnez en temps de chargements sur vos jeux et accédez plus rapidement à vos fichiers lourds.
Efficacité énergétique accrue
Avec une amélioration remarquable de plus de 70 % d’efficacité par rapport au modèle précédent, vous pouvez utiliser votre ordinateur encore plus longtemps sans vous soucier de l'autonomie de la batterie.
De plus, il prend en charge Modern Standby, qui vous permet de rester connecté à internet et de recevoir des notifications même en utilisant le mode basse consommation.
Solution thermique intelligente
L'étiquette de diffusion de la chaleur du 990 EVO facilite le contrôle thermique de la puce NAND. L'algorithme de contrôle thermique de pointe de Samsung, associé à la Dynamique Thermal Guard, garantit des performances constantes et fiables. Gardez vos performances au chaud, pas votre SSD.
Logiciel Samsung Magician
Faites en sorte que votre SSD fonctionne comme sur des roulettes. Les outils d'optimisation du logiciel Samsung Magician garantissent les meilleures performances du SSD. C'est le moyen le plus sûr et le plus simple de migrer toutes vos données pour une mise à niveau du SSD Samsung. Protégez vos données précieuses, surveillez la santé du SSD et obtenez les dernières mises à jour.
Donner vie aux innovations
Depuis des décennies, la mémoire flash NAND de Samsung alimente des technologies révolutionnaires qui ont changé notre vie quotidienne. Cette technologie flash NAND équipe également SSD grand public, laissant la place à la prochaine grande vague d'innovation.
| Général | |
| Type de périphérique: | Disque SSD - interne |
| Utilisation | PC et consoles de jeux |
| Mémoire de stockage | Samsung V-NAND TLC |
| Capacité: | 1 To |
| Lecture séquentielle | Jusqu'à 5 000 Mo/s |
| Ecriture séquentielle | Jusqu'à 4 200 Mo/s |
| Cryptage matériel: | Oui |
| Algorithme de chiffrement: | Cryptage AES 256 bits (classe 0)TCG/Opal IEEE1667 |
| Format: | M.2 2280 |
| Interface: | PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0 |
| Mémoire cache | HMB(Host Memory Buffer) |
| Caractéristiques: | Prise en charge TRIM, mode veille, Auto Garbage Collection Algorithm, NVM Express (NVMe) 1.3c, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, S.M.A.R.T. |
| Performances | |
| Écriture aléatoire 4 Ko maximum: | Jusqu'à 680,000 IOPS |
| Lecture aléatoire maximale 4 ko: | Jusqu'à 800,000 IOPS |
| Fiabilité | |
| Fiabilité MTBF: | 1,500,000 heures |
| Alimentation | |
| Consommation électrique: | 5.5 Watt (lecture) 4.7 Watt (burst mode) |
