Samsung SSD 990 EVO NVME M.2 PCIE 4.0 X4 2 a
- Lettura sequenziale fino a 5.000 MB/s
- Controllo termico intelligente
- Interfacce PCIE® 4.0 X4, compatibile PCIE® 5.0 X2
Tieni un passo avanti
L'EVO 990 offre velocità di lettura/scrittura sequenziali migliorate fino a 5.000/4 200 mb/se velocità di lettura/scrittura casuali fino a
700.000/800.000 IOPS, ovvero il 43% in più rispetto al 970 EVO più 2 TB.
Aumento dell'efficienza energetica
Con un notevole miglioramento di oltre il 70 % di efficienza rispetto al modello precedente, puoi usare il tuo computer ancora più a lungo senza preoccuparti della durata della batteria.
Inoltre, supporta Modern Standby, che consente di rimanere in contatto a Internet e ricevere notifiche anche utilizzando la modalità a basso consumo.
Soluzione termica intelligente
L'etichetta di diffusione del calore dell'EVO 990 facilita il controllo termico del chip NAND. L'algoritmo di controllo termico di taglio Samsung, associato alla dinamica termica di guardia, garantisce prestazioni costanti e affidabili. Mantieni la tua prestazione calda, non il tuo SSD.
Software Magicio Samsung
Fai funzionare il tuo SSD come rulli. Gli strumenti di ottimizzazione del software del mago Samsung garantiscono le migliori prestazioni dell'SSD. È il modo più sicuro e semplice per migrare tutti i tuoi dati per un aggiornamento dell'SSD Samsung. Proteggi i tuoi dati preziosi, osserva la salute dell'SSD e ottieni gli ultimi aggiornamenti.
Vita alle innovazioni
Per decenni, la memoria Flash Nand di Samsung ha fornito tecnologie rivoluzionarie che hanno cambiato la nostra vita quotidiana. Questa tecnologia Flash NAND collabora anche dal grande pubblico, lasciando spazio alla prossima grande ondata di innovazione.
| Generale | |
| Tipo di dispositivo: | Disco SSD - interno |
| Utilizzo | PC e console di gioco |
| Memoria di archiviazione | Samsung V-Nand TLC |
| Capacità: | 1 a |
| Lettura sequenziale | Fino a 5.000 mb/s |
| Scrittura sequenziale | Fino a 4.200 mb/s |
| Crittografia materiale: | SÌ |
| Algoritmo di crittografia: | Crying AES 256 BITS (Classe 0) TCG/Opal IEEE1667 |
| Formato: | M.2 2280 |
| Interfaccia: | PCIE® 4.0 X4 / 5.0 X2 NVME ™ 2.0 |
| Memoria cache | HMB (buffer di memoria host) |
| Caratteristiche: | Supporto TRIM, Modalità di standby, algoritmo di raccolta di auto-gigo, NVM Express (NVME) 1.3C, Samsung V-Nand 3bit MLC Technology, S.M.A.R.T. |
| Prestazione | |
| Scrittura casuale 4 kb massimo: | Fino a 680.000 IOP |
| Lettura a caso massima 4 kb: | Fino a 800.000 IOP |
| Affidabilità | |
| Affidabilità MTBF: | 1.500.000 ore |
| Alimentazione | |
| Consumo di energia: | 5.5 Watt (Reading) 4.7 Watt (Modalità Burst) |
